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碳化硅理化性质：碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用高质量的石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。

碳化硅粗料已能大量供应，但是技术含量较高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。碳化硅晶片在我国研发尚属起步阶段，碳化硅晶片在国内的应用较少，碳化硅材料产业的发展缺乏下游应用企业的支撑。就人才培养和技术研发等开展密切合作；加强企业间的交流，尤其要积极参加交流活动，提升企业发展水平。

利用碳化硅具有耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击、作高温间接加热材料、如坚罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、炉用弧型板、热电偶保护管等。钢铁利用了碳化硅的耐腐蚀、抗热冲击耐磨损、导热好的特点、用于大型高炉内衬提高了使用寿命。

碳化硅的使用？

高温下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅电极、碳化硅模具和碳化硅制品三种，这三种材料中的碳化硅在高温下，碳化硅很容易发生氧化燃烧反应，造成材料表面胶碳层气孔率增加和结构疏松，影响使用寿命。碳化硅电极因高温电弧会发生部分升华氧化，会造成碳化硅制品的不断消耗，甚至发生断裂、破损。而碳化硅制品损耗率会达到40—60%。

人类1905年在陨石中发现碳化硅，现在主要来源于人工合成，碳化硅有很多用途，行业跨度大，可用于单晶硅、多晶硅、石英晶体等、太阳能光伏工业、半导体工业、压电晶体工业工程性加工材料。

在半导体领域的应用

碳化硅一维纳米材料因为自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多优异机能和更加广泛的应用远景，被普遍以为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。